在5G通信、卫星通信、雷达探测及科研设备等关键领域，高性能射频功率器件是实现系统效能的核心核心部件。近日，睿创微纳微波领域取得新进展：正式对外发布自主品牌InfiGaN®射频功率器件产品线。

  该产品线采用第三代半导体材料氮化镓（GaN），功率等级覆盖5W-1600W，工作频率范围覆盖DC-X波段，并提供塑封、金属陶瓷空腔封装、金属气密性封装及多芯片集成载片等多种封装形式，为客户提供160多种参考应用方案，覆盖常用的数据链、电台、北斗、宽带干扰机、测试设备、雷达、二次雷达、激光发生器、屏蔽器、无人机反制及工业微波加热等各种应用领域。

  氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具备高电子迁移率、高饱和漂移速度、高热稳定性等优点，使其射频器件在高频、高压、高效率、大功率及大带宽方面表现优异。

  GaN射频功率器件的功率密度可达LDMOS器件的5倍以上，适用于移动通信基站、雷达和卫星航天等对性能要求严苛的应用场景。

  在提供业界具有竞争力性能的同时，为确保GaN射频功率器件产品在各类严苛环境下的长期可靠性，睿创微纳自建了多维度可靠性评估验证平台，对所有GaN射频功率器件产品做严格的可靠性测试及评估，这些可靠性验证项目包括但不限于：

  过程监控：监控器件在经过168小时、500小时、1000小时后各指标的变动情况，确保评估过程稳定可靠，评估结果真实、准确。

  此外，睿创微纳还通过自建能力平台做高温存储寿命试验（High Temperature Storage Life，HTSL）、温度循环（Temperature Cycling，TC）、剪切力强度测试（Die Shear）、焊线拉力强度测试（Wire Bond Pull Strength）、引线键合点剪切强度测试（Bond Shear）等封装可靠性评估项目，持续优化封装工艺，提升产品良率与长期可靠性，为客户提供最让人信服的高性能、高可靠性产品。

  代表型号D1106：DFN 5×6mm封装，采用输入内匹配，使其在30MHz-2GHz频率范围内，连续波输出功率大于11W，漏极效率大于51%，线dB，主要使用在于超短波电台及测试设备等领域。

  频率覆盖DC-6GHz，功率等级覆盖10-1600W，支持无匹配和预匹配设计。

  应用聚焦：覆盖S波段和X波段，拥有非常良好输入、输出驻波特性，使用简单、方便，很适合T/R组件及雷达应用。

  特点：采用多芯片集成技术，具有小尺寸、高集成、易使用等优点，很适合T/R组件应用。

  代表型号D1603：25×10mm尺寸CPC载片集成三级放大器，在4.3GHz频段实现43.5dB功率增益，功率附加效率大于42%。

  针对客户的真实需求，结合InfiGaN®射频功率器件丰富的产品系列，睿创微波研发团队已开发超过160种参考应用方案，涉及各种频率范围和功率，覆盖广泛的应用场景：

  这些经过实际应用验证的参考设计和应用方案，包括电路原理图、Layout设计、测试数据等必要信息，均可应客户真正的需求免费提供，并为客户提供详尽的设计指导与应用协助，以帮助客户快速完成产品开发。

  同时，为助力客户快速设计应用，睿创微纳可提供GaN射频功率器件的高精度、可仿真的大信号模型。睿创微纳建立了完善的器件测试分析与建模平台，涵盖高低温直流与微波探针台、连续及脉冲IV、小信号S参数、谐波源与负载牵引（Sourcepull & Loadpull）大信号测试等关键测试能力；并基于这些测试及提参手段开发了高精度CM+行为级大信号模型以及支持KeySight ADS平台的PDK（Process Design Kit）。这些模型和工具包均可应客户真正的需求免费提供，能够明显提升客户射频功放及系统模块设计阶段的仿真设计迭代效率。

  睿创微纳坚定践行全国产化的自主可控产品研制路线，独立自主攻坚，追求核心技术创新与突破；目前已建立涵盖材料开发、工艺开发、器件设计、电路设计、封装设计、可靠性验证、量产交付的完整技术平台。InfiGaN®产品线的供应链立足于国内，核心技术实现自主研发，确定保证产品供应的安全可控。

  未来，睿创微纳将继续深耕射频功率半导体领域，始终以技术创新为引擎、以品质提升为基石，致力于为客户提供更优质的解决方案；通过持续创新和工艺优化，进一步夯实市场竞争力，精准响应多样化需求。睿创微纳期待与更多伙伴携手，一同推动射频半导体技术迭代升级与行业发展。